中國據指研製出EUV光刻原型機ASML前工程師打造 冀2028前生產晶片
中美科技競賽中,光刻機一直是中國推動半導體產業自主的技術樽頸之一。 據路透報道,今年初內地已經研製出一台極紫外光刻機(EUV)原型機,由荷蘭光刻機巨頭艾司摩爾(ASML)的前工程師團隊通過逆向工程打造。該設備已經成功運行並產生極紫外光,但尚未能生產出晶片,政府目標在2028年之前產出可用晶片。由於光刻機為半導體製造過程中技術含量最高的設備,倘中國最終成功以原型機造出晶片,意味其將實現重大技術突破。 深圳實驗室秘研 尺寸龐大 EUV光刻機是生產7納米或以下製程先進晶片的必要設備,目前全球僅ASML掌握此技術。2018年,中芯國際(00981)曾斥資1.2億美元向ASML訂購一台光刻機,但在美國施壓下,荷蘭最終並沒有交付。ASML亦向路透確認,未曾向中國客戶銷售EUV 設備。 於2021年,中芯國際的N+1製程規模量產,其後外界證實為接近7納米製程工藝,不過是以改良EUV(深紫外光刻機)配合多重曝光技術實現,良率、成本均較遜色。中國若要推進更高階晶片製造,例如5納米、3納米製程晶片,依然面臨EUV技術難題。 報道指出,國產EUV原型機是在深圳一家保安嚴密的實驗室打造,幾乎佔據整個工廠車間,尺寸遠大於ASML產品。該設備正在測試中,已能夠運行並產生極紫外光,但尚未能生產晶片。政府目標在2028年使用這台原型機生產出可用晶片,但接近項目的人士認為更現實的時間表是2030年。 簡單來說,EUV光刻機利用極紫外光源(波長僅13.5納米),通過反射式光學系統,把晶片電路圖案投影並聚焦到塗有光刻膠的晶圓上,從而在晶圓上刻蝕電路圖。知情人士稱,內地原型機尺寸龐大,主要因為無法獲得德國蔡司(Carl Zeiss)等供應商提供的光學系統,儘管原型機粗糙,但足以運作測試。 招攬科學家 准雙重國籍 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所(CIOMP)據報今年初取得突破,成功把極紫外光光學系統整合到原型機,使得該設備運作起來,即使還需要進一步改良。同時,中國在二手市場找到ASML舊機型的零部件,幫助其打造出EUV原型機。 為推進研發,華為在今次的項目中扮演重要角色,協調全國企業、國家研究機構網絡,涉及數千名工程師。有現任ASML員工透露,華為自2020年開始一直嘗試招攬他們。報道提到,主導今次原型機研製的是ASML前工程師團隊,包括近期從ASML退休、在中國出生的工程師...