中國據指研製出EUV光刻原型機ASML前工程師打造 冀2028前生產晶片

中美科技競賽中，光刻機一直是中國推動半導體產業自主的技術樽頸之一。

據路透報道，今年初內地已經研製出一台極紫外光刻機（EUV）原型機，由荷蘭光刻機巨頭艾司摩爾（ASML）的前工程師團隊通過逆向工程打造。該設備已經成功運行並產生極紫外光，但尚未能生產出晶片，政府目標在2028年之前產出可用晶片。由於光刻機為半導體製造過程中技術含量最高的設備，倘中國最終成功以原型機造出晶片，意味其將實現重大技術突破。

深圳實驗室秘研 尺寸龐大

EUV光刻機是生產7納米或以下製程先進晶片的必要設備，目前全球僅ASML掌握此技術。2018年，中芯國際（00981）曾斥資1.2億美元向ASML訂購一台光刻機，但在美國施壓下，荷蘭最終並沒有交付。ASML亦向路透確認，未曾向中國客戶銷售EUV

設備。

於2021年，中芯國際的N+1製程規模量產，其後外界證實為接近7納米製程工藝，不過是以改良EUV（深紫外光刻機）配合多重曝光技術實現，良率、成本均較遜色。中國若要推進更高階晶片製造，例如5納米、3納米製程晶片，依然面臨EUV技術難題。

報道指出，國產EUV原型機是在深圳一家保安嚴密的實驗室打造，幾乎佔據整個工廠車間，尺寸遠大於ASML產品。該設備正在測試中，已能夠運行並產生極紫外光，但尚未能生產晶片。政府目標在2028年使用這台原型機生產出可用晶片，但接近項目的人士認為更現實的時間表是2030年。

簡單來說，EUV光刻機利用極紫外光源（波長僅13.5納米），通過反射式光學系統，把晶片電路圖案投影並聚焦到塗有光刻膠的晶圓上，從而在晶圓上刻蝕電路圖。知情人士稱，內地原型機尺寸龐大，主要因為無法獲得德國蔡司（Carl Zeiss）等供應商提供的光學系統，儘管原型機粗糙，但足以運作測試。

招攬科學家 准雙重國籍

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（CIOMP）據報今年初取得突破，成功把極紫外光光學系統整合到原型機，使得該設備運作起來，即使還需要進一步改良。同時，中國在二手市場找到ASML舊機型的零部件，幫助其打造出EUV原型機。

為推進研發，華為在今次的項目中扮演重要角色，協調全國企業、國家研究機構網絡，涉及數千名工程師。有現任ASML員工透露，華為自2020年開始一直嘗試招攬他們。報道提到，主導今次原型機研製的是ASML前工程師團隊，包括近期從ASML退休、在中國出生的工程師和科學家，出於保密考慮他們被要求用假名工作。同時，一些其他國家的入籍公民獲得中國護照，並被允許持有雙重國籍。

知情人士把此秘密項目形容為中國版「曼哈頓計劃」，即美國戰時研發原子彈的行動。事實上，業界此前已經把EUV光刻機的研製難度與原子彈相提並論，因其集成了世界頂尖科技。ASML表示，為了把EUV光刻技術推向市場，持續投入研發超過20年。

此外，讓ASML引以為傲的是其複雜的技術生態。EUV光刻機包含數以十萬計的零部件，並非ASML能夠獨力開發，仰賴全球科學合作，例如蔡司研發的光學系統、西盟（Cymer）所提供的激光光源，以及與台積電等晶圓廠的研發合作。ASML又提到，當前正研發下一代EUV系統，其分辨率和套刻精度的性能表現將比目前的EUV系統高70%，這亦表明內地追趕西方光刻技術仍然任重道遠。

19 Dec 2025